Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP4NB100

MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP4NB100

STP4NB100 Hakkında

STP4NB100, STMicroelectronics tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistörüdür. 3.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 4.4Ω maksimum on-direnci (RDS(on)) ile verimli çalışma sağlar. 125W maksimum güç saçılımı kapasitesi bulunmaktadır. Gate charge 45nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığına kadar güvenilir performans sunar. Through-hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir. Ürün mevcut üretimde bulunmamakta ancak endüstriyel ve eski tasarımlar için yedek parça olarak temin edilebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok