Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP4N80K5

MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP4N80K5

STP4N80K5 Hakkında

STP4N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltajı ve 3A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 60W güç dağıtabilir. 10V gate voltajında 10.5nC gate charge ve 175pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok