Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP4N150

MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP4N150

STP4N150 Hakkında

STP4N150, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 1500V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7Ω maksimum on-direnci (RDS(on)) ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürücü geriliminde çalışır ve ±30V maksimum gate gerilimini tolere eder. 160W maksimum güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok