Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP3NB100

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP3NB100

STP3NB100 Hakkında

STP3NB100, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 6Ohm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilmiştir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, LED sürücüler, anahtarlama uygulamaları ve yüksek gerilim kontrol devreleri gibi alanlarda yaygın olarak uygulanmaktadır. ±30V gate-source gerilim aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli çalışma sağlar. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok