Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP35N60DM2

MOSFET N-CH 600V 28A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP35N60DM2

STP35N60DM2 Hakkında

STP35N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj aralığında 28A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor sürücü sistemlerinde kullanılır. 110mOhm maksimum on-state direnci (10V gate voltajında) ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 210W güç dissipasyonuna kadar dayanabilir. 54nC gate charge değeriyle düşük sürüş gereksinimleri sunar. Yüksek voltaj ve akım uygulamalarında, inverter, welding, SMPS ve tesisat koruma devreleri için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok