Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP33N65M2
STP33N65M2 Hakkında
STP33N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 190W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±25V gate gerilim aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar operating sıcaklığında güvenli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1790 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok