Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP33N60M2
STP33N60M2 Hakkında
STP33N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 26A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 125mΩ maksimum on-direnci, düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreler ve endüstriyel elektrik sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 190W maksimum güç yayınlayabilir. ±25V gate gerilimi aralığında güvenli çalışan bu transistör, 10V drive voltajında optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1781 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok