Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP33N60DM6
STP33N60DM6 Hakkında
STP33N60DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 25A sürekli dren akımı kapasitesine ve 128mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±25V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C arasında güvenli bir şekilde işletilir. 190W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolörlerinde ve yüksek voltaj düzenleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge değeri (35nC @ 10V) sayesinde yüksek sıklıkta anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok