Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP32N65M5

STP32N65M5 Hakkında

STP32N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 24A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 119mOhm olup, 10V gate sürme geriliminde 72nC gate yükü taşır. İç kapasitansı (Ciss) 100V'de 3320pF değerine sahiptir. 150W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve ±25V maksimum gate gerilimi aralığına sahip olan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüler ve anahtarlama regülatörlerinde uygulanmaktadır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3320 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 119mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok