Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP315N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP315N10F7

STP315N10F7 Hakkında

STP315N10F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 180A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve yüksek akımlı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 2.7mΩ maksimum açık durumda kaynak direnci ve düşük gate charge değeri ile enerji verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 315W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok