Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP30NM60ND
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP30NM60ND
STP30NM60ND Hakkında
STP30NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 190W güç yayılımı özelliğine sahiptir. Rds(on) değeri 10V kapıda 130mOhm ile belirtilmiş olup, yüksek gerilim uygulamaları için uygun bir seçimdir. ±25V maksimum kapı gerilimi ve 5V eşik gerilimi ile kontrol devreleri tasarlamak mümkündür. Güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok