Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP30NM60N
STP30NM60N Hakkında
STP30NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama ve kontrol devrelerinde yer alır. 10V gate geriliminde 130mΩ on-resistance değerine sahip olup, maksimum 190W güç dağıtabilir. ±30V gate gerilim aralığında çalışabilen transistör, 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. NOT: Bu ürün üretim dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok