Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP30NM30N

MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP30NM30N

STP30NM30N Hakkında

STP30NM30N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 160W güç dağıtabilir ve 10V gate sürücü gerilimi ile çalışır. Rds(on) değeri 90mOhm (10V, 15A'de) ile verimli anahtarlama performansı sunar. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. Giriş kapasitansi 2500pF ve gate charge 75nC ile hızlı komutasyon sağlar. Not: Bu ürün artık üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok