Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP2NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP2NK100Z

STP2NK100Z Hakkında

STP2NK100Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilim (Vdss) ve 1.85A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8.5Ω maksimum on-resistance (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, koruma devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 70W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 499 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok