Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP2N105K5

MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP2N105K5

STP2N105K5 Hakkında

STP2N105K5, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 1050V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.5A sürekli dren akımı kapasitesi ve 8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıplarını sağlar. Gate charge değeri 10nC olup hızlı anahtarlama özellikleri destekler. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 60W'a kadar güç disipasyonunda güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 750mA, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok