Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP28NM60ND

MOSFET N-CH 600V 23A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP28NM60ND

STP28NM60ND Hakkında

STP28NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 23A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, 150mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 190W güç disipasyonu yapabilir. 62.5nC gate yükü ve 2090pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, indüktif yük kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±25V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok