Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP28N65M2
STP28N65M2 Hakkında
STP28N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 180mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. 35nC gate charge ve 1440pF input capacitance özellikleri ile hızlı komutasyon karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, AC/DC ve DC/DC konvertörleri, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±25V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahip olan cihaz, 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok