Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP28N60M2

MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP28N60M2

STP28N60M2 Hakkında

STP28N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketlemesiyle monte edilmesi kolay ve ısıl yönetimi etkilidir. 150mΩ @ 12A, 10V Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold voltajı 4V @ 250µA, maksimum gate voltajı ±25V'dir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok