Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP27N60M2
STP27N60M2-EP Hakkında
STP27N60M2-EP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapmak için tasarlanmıştır. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, 163mOhm maksimum RDS(on) değeriyle güç kaybını sınırlandırır. İçerik sağlayıcı uygulamaları, indüktif yükleri kontrol eden devreleri, motor sürücü topologylerini ve güç dönüştürme sistemlerini içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güvenilir ve ekonomik çözümler sunar. Pili değiştirilmiş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 163mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok