Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP26NM60ND
STP26NM60ND Hakkında
STP26NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 21A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 175mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, inverter devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 190W güç yayabilme kapasitesi vardır. Gate charge değeri 54.6nC ve input kapasitans 1817pF olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristiklere sahiptir. ±25V maksimum gate-source gerilim ile korumalı tasarıma sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1817 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok