Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP26NM60N
STP26NM60N Hakkında
STP26NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltajı ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 165mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 60nC gate charge özellikleri ile güç dönüştürme, motor kontrolü, endüstriyel sürücüler ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, ±30V gate voltajı toleransı ve 150°C çalışma sıcaklığı sınırı ile güvenilir performans sağlar. 140W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok