Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP26N65DM2
STP26N65DM2 Hakkında
STP26N65DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması görevlerini yerine getirir. 10V gate geriliminde 190mOhm on-direnci ile düşük kayıp işlemi sağlar. 170W maksimum güç tüketimi ile AC/DC konvertörleri, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kararlı performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok