Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP26N60DM6
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP26N60DM6
STP26N60DM6 Hakkında
STP26N60DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 195mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve indüktif yük anahtarlamalarında yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 130W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 10V drive geriliminde optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok