Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP25NM60ND

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP25NM60ND

STP25NM60ND Hakkında

STP25NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 21A sürekli dren akımı ve 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. 160W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gate şarj miktarı 80nC'dir. ±25V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır. Anahtarlama uygulamaları, invertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok