Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP25N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP25N60M2
STP25N60M2-EP Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STP25N60M2-EP, 600V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 188mOhm maksimum on-resistance değeri ile enerji kaybını minimuma indirir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve 150W maksimum güç yayılımı kapasitesi sayesinde endüstriyel güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate charge karakteristiği 29nC ile hızlı anahtar geçişine imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 188mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok