Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP24N60M2

STP24N60M2 Hakkında

STP24N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 18A sürekli dren akımı kapasitesi ve 150W maksimum güç dağılımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Gate charge değeri 29nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliktedir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabilite sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, AC motor sürücüleri, enerji yönetimi uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok