Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP24N60DM2
STP24N60DM2 Hakkında
STP24N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim, 18A sürekli dren akımı ve 200mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150W güç tüketimi kapasitesine ve geniş -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 29nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1055 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok