Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP23NM60ND
STP23NM60ND Hakkında
STP23NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 19.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir ve 150W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 69nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok