Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP23NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP23NM60N

STP23NM60N Hakkında

STP23NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 19A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 180mOhm maksimum on-direnç değeri, 150W maksimum güç yayılımı kapasitesi ve düşük kapı yükü özellikleriyle, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür. Bileşen şu an üretim dışında (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok