Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP23N80K5

MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP23N80K5

STP23N80K5 Hakkında

STP23N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 16A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 280mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilir ve 5V threshold voltajında tetiklenir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık ortamında güvenli bir şekilde işletilir. Güç kaybı kapasitesi 190W'a ulaşmaktadır. Yüksek gerilim uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılan bir kontrol elemanıdır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında rahatlıkla entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok