Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP21NM60ND
STP21NM60ND Hakkında
STP21NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, 140W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Rds(on) değeri 220mΩ (10V, 8.5A'da) olup, anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. 60nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maximum operating temperature 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok