Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP21NM60N

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP21NM60N

STP21NM60N Hakkında

STP21NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 pakette sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 220mΩ maksimum açık direnç değeri gösterir. 66nC gate charge ve 1900pF input kapasitesine sahip olan STP21NM60N, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronikleri tasarımlarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 140W güç dağıtabilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılır. Not: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok