Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP21N65M5
STP21N65M5 Hakkında
STP21N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel Power MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, 190mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük iletim kayıpları sağlar. Gate şarj miktarı 50nC ve kapasitans değerleri optimize edilmiştir. 125W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama devreleri, konvertörler, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde kullanılır. ±25V gate gerilimi aralığında çalışabilir ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok