Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP20NM60FD

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP20NM60FD

STP20NM60FD Hakkında

STP20NM60FD, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 pakette sunulan bu transistör, güç elektroniği devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 290mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. -65°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 192W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımlarında kolay entegrasyonu mümkündür. Anahtarlama hızı ve gate kontrol özellikleri ile hassas güç yönetimi gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok