Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP20NM60A

MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP20NM60A

STP20NM60A Hakkında

STP20NM60A, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, 20A sürekli dren akımı kapasitesine ve 290mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 60nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Maksimum ±30V gate gerilimi toleransında çalışabilen STP20NM60A, endüstriyel güç yönetimi, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışır ve 192W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Through Hole montaj tipi ile konvansiyonel PCB tasarımlarında entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1630 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok