Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP200N6F3

STP200N6F3 Hakkında

STP200N6F3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel güç MOSFETidir. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde üretilen bu transistör, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, switch-mode güç kaynakları ve ağır yük uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 330W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılmaktadır. Cihaz obsolete durumunda olup, yerini daha yeni teknoloji ürünlerin aldığını göz önünde bulundurarak seçim yapılmalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok