Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP200N4F3
STP200N4F3 Hakkında
STP200N4F3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 4.4mΩ maksimum on-dirençi ve 300W maksimum güç tüketim kapasitesiyle, düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Motorlu sürücüler, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu transistör, güvenilir komütasyon ve verimli enerji yönetimi sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok