Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP1N105K3

MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP1N105K3

STP1N105K3 Hakkında

STP1N105K3, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1050V drain-source gerilimi ile güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 1.4A sürekli dren akımı ve 60W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile medium güç seviyesindeki devrelerde kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bileşen, endüstriyel enerji dönüştürücüleri, güç kaynakları ve voltaj regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 11Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok