Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP19NM65N
STP19NM65N Hakkında
STP19NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 15.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montaj destekler. 270mOhm maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge karakteristiği ile anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, invertörlerde ve motor kontrolü uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 150W güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari seviye uygulamalara uygundur. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 7.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok