Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP19NM50N
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP19NM50N
STP19NM50N Hakkında
STP19NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürüş geriliminde 250mΩ on-state direncine ve 34nC gate yüküne sahiptir. ±25V maksimum gate gerilimi aralığında çalışır. 150°C junction sıcaklığında 110W güç tüketebilir. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak, güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Through-hole montaj tipiyle endüstriyel ve profesyonel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok