Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP18NM80

STP18NM80 Hakkında

STP18NM80, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 17A sürekli dren akımı ve 295mΩ (10V, 8.5A'de) on-state dirençle karakterizedir. Maksimum 190W güç tüketebilen bu transistör, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç kaynağı tasarımları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj DC/DC dönüştürücülerinde kullanılır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen cihaz, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 70nC gate yükü ve 2070pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok