Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP18NM60ND

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP18NM60ND

STP18NM60ND Hakkında

STP18NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 13A sürekli drain akımı ve 110W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 290mOhm on-state direnç (RDS(on)) ile verimli çalışma sağlar. ±25V gate voltajı aralığında çalışabilir ve 150°C maksimum kalıp sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarına uygun olup, eski sürüm bir üründür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok