Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP18NM60N

STP18NM60N Hakkında

STP18NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç kaynağı devreleri, motor kontrol sistemleri ve SMPS (Switched Mode Power Supply) tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 285mOhm (10V, 6.5A'da) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 35nC gate charge ve 1000pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 285mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok