Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP18N60M6

STP18N60M6 Hakkında

STP18N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 13A sürekli dren akımı ve 280mOhm maksimum gate-source direnci ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 110W güç yayılım kapasitesi ile şu alanlarında tercih edilmektedir: güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde. ±25V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesine uygunluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok