Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP18N55M5

MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP18N55M5

STP18N55M5 Hakkında

STP18N55M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilim (Vdss) ve 16A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 192mOhm (10V, 8A) maksimum on-state resistance değerine sahiptir. 110W maksimum güç tüketimine ve -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme sistemleri, anahtarlama devreler, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük gate charge (31nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 192mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok