Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP16N60M2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP16N60M2

STP16N60M2 Hakkında

STP16N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 320mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında çalışır ve ±25V maksimum gate-source voltajı destekler. 110W maksimum güç tüketimine dayanabilir. Endüstriyel güç denetimi, motor kontrol devreleri, AC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok