Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP15N60M2
STP15N60M2-EP Hakkında
STP15N60M2-EP, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli dren akımı kapasitesine ve 378mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 110W maksimum güç dağılımı ile tasarlanan transistör, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10V drive voltage gereksinimi ile kolaylıkla sürülebilen transistörün gate charge değeri 17nC'dir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında ve yüksek voltaj uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 378mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok