Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP13NM60ND
STP13NM60ND Hakkında
STP13NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 11A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynağı devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve invertör tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 380mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 109W maksimum güç dağılımı kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 109W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok