Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP13N65M2

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP13N65M2

STP13N65M2 Hakkında

STP13N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde, SMPS (Switch Mode Power Supplies), motor kontrol uygulamaları ve güç amplifikatörlerinde yaygın olarak yer alır. 430mOhm RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 110W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok