Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP13N60DM2
STP13N60DM2 Hakkında
STP13N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drain akımı kapasitesi ve maksimum 365mΩ on-state direnç (Rds On) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 110W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve indüktif yüklerin kontrolünde yaygın olarak tercih edilir. ±25V gate voltaj aralığında çalışan bileşen, -55°C ile +150°C arasında sıcaklıklarda güvenilir performans sağlar. Düşük gate charge (19nC) sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok